高低溫沖擊的主要作用為:檢驗不同結構材料之間熱脹冷縮應力的能力,可發現 如下故障:晶片裂.紋密封不好,內引線壓焊不好等. 高溫功率老化是使元件模擬在實際電路中的工作條件,再加高溫進行老化,溫 度在80 ° C ~180 ° C 之間,它對于:表面沾污.引線焊接不良.漏電.晶片 裂紋.氧化層缺陷.存在局部發熱等,都有篩選效果,是一種非常有效的.

　　電解電容的老化和上述方法不同,它的儲存時間一般不應超過一年 因長期擱置不用時,電解液會干凅,使其失效,甚至在使用中會發熱

　　c ,相對溫 或爆炸,電解電容的儲存環境要求較高,一般為:-10 ‘c40 ° 度不大于80%儲存不應有酸.鹼或有害氣体,儲存時間超過一年的 應進行電鍛老化的以恢復特性,方法如下:先加1/3額定直流工作電壓, 0.5~1小時,再升至額定直流工作電壓1小時,再升至額定直流工作 電壓2小時,在電鍛恢復後, 再測量其絕緣電阻,合格表示可使用,儲 存不滿一年或經過電鍛恢復的電解電容還可采用如下方法進行老 化篩選,先在室溫下加1.1~1.3倍的額定工作電壓老化8~4小時,剔除 失效之電容,然後再轉入正極限工作溫度(如55 ° C 85 ° C ),加 1.1~1.2倍的額定直流工作電壓,老化6~8小時,剔除不合格者.

　　電感器即是一種儲能元件又是一種耗能元件,其基 本單位為亨利(H),常用單位有:微亨(UH)

　　1.晶体二極管 晶体二極管是利用半導体PN結的單向導電性制成的,在電路中主要作整流 檢波用,其最主要特性是單向導電性. 二極管的品種規格很多,按其結構工藝可分為:點接觸型(主要用于高頻電路 因其允許通過電流較小,所以只適合作為檢波和小電流下工作)和面接觸型( 不適合在高頻電路中使用,多用作頻率較低的整流.) 按所用半導体材料的不同,又可分為鍺二極管和珪二極管兩種,鍺二極管因其 正向電阻較小,適合制成點接觸型的小信號檢波用的二極管,鍺二極管因其要 有較高的正向電壓才能導通(0.5~0.7V)只適用于信號較大的電路中. 除以上外,由于技術進步和軍事,通訊需要,還有一些二極管如:變容二極管, 隧道二極管.階躍半導体二極管(又叫電荷存儲二極管).体效應二極管,PIN 二極管,雙基極二極管(又叫單結晶体管)和珪可控整流元件,由于工廠不常用, 在此就不做介紹了.

　　絕緣欄型是由金屬鋁層,二氧化珪,半導体珪組成,所以叫金屬一氧化物--半導体場 效應管,簡稱MOS管,因它的珊極是絕緣的,所以又叫絕緣珊場效應管.  絕緣珊場效應管應特別注意避免珊極懸空,也就是說在珊.源兩極間必須經常保 持直流通路,因它的輸入阻抗非常高,所以在珊極感應出來的電荷就很難通過輸入 電阻瀉漏掉,電荷的累積造成電壓升高,尤其是在極間電容比較小的情況下,少量 的電荷就會產生較高的電壓,以致管子還沒使用,或者在焊接時就以擊穿或出現 指標下降的現象,通過以上說明,大家應明白為何要求接觸IC等一些敏感元件時 要帶靜電環的緣故了.

　　場效應管的輸入電阻非常高,一般可達上百MΩ或几千MΩ,其具有噪音低動態 範圍大等特點,廣泛應用于數字電路,通訊設備和儀器儀表方面,利用場效應管制 成的場效應集成電路,具有功耗小,成本低和容易大規模集成等優點. 由于目前工廠基本未應用場效應管,在此就簡單作一說明:

　　半導体集成電路是利用半導体工藝或薄.厚膜工藝,把晶体管.二極管.電阻.電容 等電路元件制作在同一基片上,並按電路要求互相連接起來,使其成為是有一定 功能的單元,多單元或組合電路,最後封裝在一個管殼之內的電子器件. 通常電子管叫做第一代電子器件,晶体管叫做第二代電子器件,集成電路叫做第 三代電子器件. 晶体管集成電路按晶体管類型分可分為單極型和雙極型,按功能分可分為數字 集成電路和模擬集成電路. 單極型集成電路中的晶体管是以金屬---氧化物---半導体場效管.在場效應管中, 只有電子或空穴一種載流子參加導電,所以叫單極型,這種集成電路也叫金屬. 氧化物.半導体集成電路,簡稱MOS集成電路: 數字集成電路就是能夠完成數字運算的集成電路,它以開和關兩種狀態來代 表二進制數中的“1”和“0”除數字集成電路以外的集成電路都叫模擬集成電路 按集成度可分為小.中.大.超大規模集成電路. 因IC內部較為復雜,故在此就不作介紹了.

　　二極管是一種極性元件,其文字符號為:D 2.晶体三極管 晶体三極管是由兩個PN結組成,它有三個電極引出,分別為發射極.基極和 集電極.晶体三極管可分NPN和PNP兩種:

　　三極管在電路中可起到開關和放大的作用,晶体三極管是一種電流控制元件, 在功放電路中常用一個PNP和NPN的三極管組成一個高放大倍數的三極管, 也叫達林頓管. 3.場效應晶体管 簡稱場效應管,是一種電壓控制元件,場效應管是利用外加電場,使半導体中形 成一個導電溝道並控制其大小(絕緣跚型)或改變原來導電溝道大小(結型)來 控制電導率變化的原理制成的.

　　電容是一種儲能元件,在電路中可起到濾波,耦合的作用,其有高 通低阻(即通高頻阻低頻)的特性,電容的基本單位為法拉(F),常用 單位為微法(UF)和皮法(PF或UUF): 常用電容器其容量為 幾PF~5000UF之間  電容器的標稱容量和允許偏差同電阻器相似,一般固定式電容器如 云母電容器和瓷介電容器等允許偏差也有± 5% ± 10% ± 20%三種, 分別J.K.M表示 ,對于穩定性較差或允許偏差範圍很大的電容器,如 鋁和鉭電解電容器,允許偏差為: ± 10%(k) ± 20%(M) 50%-20%(S)和 100%-10%(R)四種.  理想電容器的兩極板間的電阻應為無窮大,但任何介質都不是理想  的絕緣体,電容兩極間的電阻就叫絕緣電阻,一般的母電容器的絕緣

　　電容器的用途很廣,一般都是按其所用的電介質材料來分類: 常分為:金屬化紙介電容器,云母電容器,瓷介電容器. 聚苯乙烯電容器,滌綸電容器,鋁電解電容器, 固体電解質燒結電容器,鉭電解電容器,薄膜介質可變電 容器等. 電容器的選用要根據電路中的使用條件和要求來定,一般級間耦 合多選用金屬化紙介電容器和滌綸電容器,電源濾波和低頻旁路 則宜選用鋁電解電容器和鉭電解電容,高頻電路或對電容量要求 穩定的地方應該用瓷介電容器,云母電容器或聚苯乙烯電容器. 電容器跟電阻一樣,需經老化處理後才能使用,老化的方法可分為 自然老化和人工老化兩種.自然老化就是從製造日算起經一年以上 的儲存時間,以達到老化的目的,方可使用(但電解電容除外),人工老 化的方法與電阻相似,只是溫度不一樣(高溫80 ± 5° C ,低溫-20 ° C .)

　　色環法:即用顏色環來表示標稱電阻及其誤差範圍 的方法: 金± 5% 銀±10% 無±20% 常用顏色代碼與數值對應關係如下: -1 -2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 金 銀 黑 綜 紅 橙 黃 綠 蘭 紫 灰 白 舉例說明色環法如下: 四環:

　　電阻一般需經過老化處理才能使用,老化可有人工老化和自然 老化兩種,自然老化一般需經過一年以上的時間才能使用,人 工老化可有溫度循環老化和功率老化兩種. 溫度循環老化方法一般為90 ± 5° C 4小時,自然冷卻至室溫再降 至-40 ° C ,保持4小時,再自然至室溫,如此進行3個循環. 人工功率老化:將電組兩端加直流電壓使電阻所承受的功率為 其額定功率的1.5倍(但不超過其最大工作電壓)通電5分鐘後在 室溫恢復30分鐘後測其阻值. 以上介紹基本上為線性電阻,符合歐姆定律,但一些由特性材料 制成的電阻(如熱敏電阻.光敏電阻等就是非線性電阻,不符合 歐姆定律,因我們不常用,故在此不多作敘述.)

　　老化的方法有:高溫儲存.高低溫沖擊.高溫功率老化,機械振動. 沖擊.離心加速 檢漏.濕熱等. 實際應用中前三項比較常用(其能有效地發現早期失效的管子,尤其是高溫功 率老化篩選試驗)以上三種各有不同作用.

　　高溫儲存主要作用為:加速晶片表面化學反應的進行,加速正離子運動過程,穩 定參數等,加速內引線壓焊點虛焊處的氧化過程等.

　　壓管,焊接管子時也應先將各極短路,安裝,測試時所用烙鐵.儀器等都要有良好

　　4. 可控珪 可控珪是由三個PN結組成的,其用途很廣,在電路中可作可控的整流元件用, 在電源電路中常使用

　　電阻:電阻是一種耗能元件,其在電路 中可起到分壓,限流的作用,其單位為 歐姆(Ω),常用電阻阻值為: 幾Ω~10MΩ之間 常用電阻可分為固定電阻和可變電 阻(即電位器). 電阻的表示法可有數值法和色環法

　　晶体管和集成電路的老化篩選. 新制造出來的電子元件,剛投入使用的一段時間叫做早期失效期,早期失效的 特點是失效率特別高,但隨著工作時間的增加而迅速降低,這一階段失效的原 因,有些是制造元件原材料的缺陷造成的,有些是由于在元器件生產過程中工 藝措施不當所造成的,例如晶片邊緣有裂縫,在使用中進一步擴展而穿過工作 區,又 如熱壓引線加壓不當,因機械震動而斷開,又如封裝漏氣使潮氣侵入,以及 在制造過程中由于環境的影響在晶片表面造成污染而引起漏電等. 電子元件在早期失效後,就進入偶然失效期. 這一階段的特點是失效率低而穩定,表現為偶然性,這一階段是元件最良好的 工作階段,因這一階段使用時間長,所以也叫使用壽期,元件經過正常使用後,由 于老化,腐損.損耗和疲勞等原因,失效率會隨著工作時間而增加,這一階段叫做 耗損失效期,損耗失效主要是由于材料的化學和物理變化引起的. 老化篩選的作用就是在外加應力作用下,將早期失效的元器件在故障加速爆露, 並及時篩除掉,以保證正常的使用元件的可靠性,老化篩選屬于非破壞性試驗.亿博电竞 亿博官网亿博电竞 亿博官网亿博电竞 亿博官网