第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表

　　第三代半导体材料的特点就是具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。

　　第三代半导体材料的应用可以实现更好的电子浓度和运动控制 ，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

　　目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。

　　当前半导体照明技术仍有巨大创新空间，从光效到光品质、从单色到长波长、短波长、从照明到系统等等，技术的进展永无止境，而新的市场也会随之突破和成长。

　　在海外对国内半导体产业发展日益严格的限制下，制强化国家战略科技力量，有望为国内半导体行业发展注入强劲动能，半导体领域的国产替代有望在国家的大力支持下快速发展。

　　作为第三代半导体应用的第一个突破口，半导体照明过去近20年的发展是由核心技术的不断进步和突破带动，边开花边结果，开启了一个又一个高成长性的市场。

　　现如今第三代半导体的风口来了，我国的半导体企业在第三代半导体领域中持续发力。

　　在现有产品结构的基础上积极布局半导体芯片用掩膜版产品，聚焦第三代半导体芯片用掩膜版。公司订购了半导体芯片用掩膜版设备，积极布局半导体芯片用掩膜版产品，公司当前的半导体芯片用掩膜版量产能力在0.50um工艺水平，未来继续开发投入，将量产能力由0.5um提升至0.25um工艺要求的量产能力，以更好地满足集成电路凸块（ICBumping），集成电路代工（ICFoundry），集成电路载板（ICSubstrate），MicroLED芯片，微机电（MEMS）等市场需求。

　　主要从事半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务。主要产品为电子工艺装备和电子元器件。可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。

　　专业从事集成电路的封装和测试,拥有年封装15亿块集成电路、测试6亿块集成电路的生产能力,是我国国内目前规模最大、产品品种最多的集成电路封装测试企业之一。公司已经具备第三代半导体封测能力，并且有展开相关业务。公司为国内封测龙头，大客户业务进展顺利，市场份额提升，同时国产DRAM逐渐放量，半导体行业景气度回升，公司作为CPU、GPU等芯片国产替代的重要封测环节，积极扩产，前景可期。

　　在碳化硅材料方面，已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶 体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线， 实验线产品已通过下游部分客户验证，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进 一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。已研发了第三代半导体材料SiC单晶炉并实现销售，研发的6英寸SiC外延设备，兼容4寸和6寸SiC外延生长。在客户处4寸工艺验证通过，正在进行6寸工艺验证。开发的上述设备，有助于拓展在第三代半导体材料设备领域的市场布局。

　　决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司建设包含但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包含长晶—衬作—外延生长—芯片制备—封装产业链，总额160亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产并实现投产，72个月内实现达产。

　　主要从事移动通信、半导体、电子元器件和材料等产品相关的技术研发。公司的主要产品是手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器、汽车电子等智能终端；半导体、新型电子元器件；光学模组。公司将加大在第三代半导体领域，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。亿博电竞 亿博官网亿博电竞 亿博官网